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國內(nèi)產(chǎn)業(yè)格局

這幾年，我國紫外UVLED技術應用發(fā)展相對迅速，除了一些科研院所在紫外LED取得了豐碩的研究成果外，國內(nèi)的LED企業(yè)也在紫外LED領域開拓出屬于自己的市場。紫外LED芯片發(fā)光的波長越短，技術難度就越大，深紫外LED芯片領域更是具有一片廣大的前景。

未來研究方向

根據(jù)紫外LED芯片的研究現(xiàn)狀，預計其未來研究發(fā)展方向有如下幾個方面：研究高質(zhì)量的深紫外材料外延生長技術；高Al組分AlGaN材料生長技術和摻雜技術；深紫外LED結構設計;波長300nm以下LED器件芯片制作工藝和封裝技術；面向醫(yī)療、殺菌和凈化應用領域的紫外光源模塊開發(fā)和應用；近紫外LED激發(fā)熒光粉制備高性能白光LED。

未來技術問題

未來需解決的技術問題是藍寶石襯底上高質(zhì)量AlN模板的MOCVD外延生長；AlGaN量子阱的發(fā)光機制研究與結構控制技術；P型高Al組分AlGaN摻雜技術研究；低歐姆接觸電極的制作；電流擁堵效應的解決；紫外LED出光效率提高技術；熒光材料的高效合成；耐熱抗紫外封裝材料的研究；深紫外LED的器件工藝和封裝技術；深紫外LED的應用模塊研制等。在國內(nèi)外眾多紫外LED研究工作者的共同努力下，相信紫外LED芯片的應用前景將一片光明。

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TypeInfo: UV LED行業(yè)動態(tài)
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